跟着在晶圆代工范畴的竞争对手台积电与三星，均已连续进入 10 纳米制程深恶痛绝范畴。因而，半导体大厂英特尔 （intel） 也不甘示弱，在 19 日于中国北京所举行的顶级制作大会上，正式发布了自家的 10 纳米制程深恶痛绝，以及全球初次对外展现的 10 纳米的晶圆。intel 还宣告，将在接下来的深恶痛绝大会上，除了介绍了自家的 10 纳米制程深恶痛绝之外，一起也将与竞争对手，也便是台积电以及三星的 10 纳米制程深恶痛绝进行比较。

  会议上，Intel 高档院士，制程架构总监 Mark T.Bohr 发布了 Intel 的 10 纳米制程深恶痛绝。Mark T.Bohr 表明，与台积电和三星等竞争对手的比照，可以正常的看到 Intel 的 10 纳米制程深恶痛绝在鳍片的距离，以及栅极距离均低于台积电与三星，并且最小金属距离更是大幅抢先其竞争对手。

  别的，从而在终究的逻辑电晶体密度参数上面，Intel 的 10 纳米制程深恶痛绝能到达每平方毫米 1 亿电晶体，而台积电为 4,800 万，三星为 5,160 万，也便是说 Intel 的 10 纳米制程深恶痛绝电晶体密度是台积电的 2 倍还多。

  别的，在英特尔履行副总裁 Stacy J.Smith 解说完 Intel 未来战略讲演后，Smith 还向全世界初次展现了以最新 10 纳米制程深恶痛绝所打造的晶圆，这也是未来 Cannon Lake CPU 的最根底的部分。可以说这个 10 纳米的晶圆是全球初次展现。尽管，Intel 表明自家的 10 纳米制程深恶痛绝还将会抢先竞争对手许多，并且未来还有 10 纳米 + 以及 10 纳米 ++ 制程深恶痛绝。

  不过，在现在 Intel 还没有对最新的 10 纳米制程深恶痛绝发布更多的深恶痛绝资讯情况下，相关的情况仍无法彻底承认。不过，intel 现已表明，将会在 2017 年末前正式投产 10 纳米制程深恶痛绝的处理器。